产品参数Product parameters
产品型号 |
制造商 |
产品种类 |
封装 |
漏源电压(Vdss) |
晶体管极性 |
通道数量 |
||
MGSF1N03LT1G |
onsemi |
MOSFET |
SOT-23-3 |
30V |
N-Channel |
1Channel |
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最小工作温度 |
最大工作温度 |
上升时间 |
下降时间 |
Pd-功率耗散 |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
Id-连续漏极电流 |
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+150℃
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1ns |
8ns |
690mW |
1V |
2.1A |
产品介绍Product introduction
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MGSF1N03L: 单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V,2.1A,100 mΩ。此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
外形尺寸Overall dimensions
引脚图Overall dimensions
尚想信息4大优势
Four big advantage
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走进尚想信息
about us-
深圳市尚想信息技术有限公司 12年电子·元器件一站式采购解决方案提供商
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