(1)最小击穿电压VBR

当TVS流过规定的电流时，TVS两端的电压称为最小击穿电压，在此区域，TVS二极管呈低阻抗的通路。在25℃时，低于这个电压，TVS二极管是不会发生雪崩击穿的。

(2)额定反向关断电压VWM

VWM是TVS二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压。但它又需要尽量与被保护电路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS二极管工作以前使整个电路面对过压威胁。按TVS二极管的VBR与标准值的离散度，可把VBR分为5%和10%两种，对于5%的VBR来说，VWM=0.85VBR腿;而对于10%的VBR来说，VWM=0.81VBR。

(3)最大峰值脉冲电流IPP

IPP是TVS二极管在反向状态工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

(4)箝位电压Vc

当脉冲峰值电流Ipp流过TVS二极管时，其两端出现的最大电压值称为箝位电压Vc。Vc和Ipp反映了TVS二极管的浪涌抑制能力。通常把Vc与VBR之比称为箝位因子(系数)，其值一般在1.2～1.4之间。实际使用时，应使Vc不大于被保护电路的最大允许安全电压，否则被保护器件将面临被损坏的可能。

(5)最大峰值脉冲功耗PM

PM通常是最大峰值脉冲电流Ipp与箝位电压Vc的乘积，也就是最大峰值脉冲功耗。它是TVS二极管能承受的最大峰值脉冲功耗值。在给定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、脉冲持续时间和环境温度有关。而且，TVS二极管所能承受的瞬态脉冲是不可重复施加的。

(6)电容量C

TVS二极管的电容是由其硅片的截面积和偏置电压来决定的，它是在1 MHz特定频率下测得的。C的大小与TVS二极管的电流承受能力成正比，C太大，将使信号衰减。因此，电容C是数据接口电路选用TVS二极管的重要参数。

(7)漏电流IR

IR是最大反向工作电压施加到TVS二极管上时，TVS管的漏电流。当TVS二极管用于高阻抗电路时，这个漏电流IR一个重要参数。

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