双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。

很多产品中，都能找到IGBT管的广泛应用，例如：电磁炉、变频器、开关电源、电机控制、电焊机等等，在产品维修的过程中，需要检测其中的IGBT管是否有损坏，以决定是否需要更换。在维修的过程中，会有不同的情况，比如，不带阻尼的二极管，或者是一个以上的多个的单个IGBT管组合成的多元模块 等，会给产品维修中对于IGBT管的检测判断的增加一定的难度。

其实检测IGBT管的性能是否有损坏也不难，当我们足够熟悉不带阻尼的二极管，即单个IGBT管时，在此基础上，通过分析所检测型号管内部电路，便能得出结论。

就IGBT管内部PN结的结构而言，在检测不带阻尼二极管的IGBT管时，选择指针万用表Rx10k挡，将红笔连接c极，黑笔连接E极，阻值约400kΩ，将红笔和黑笔对调一下再次测量阻值则为无穷大。把黑笔连接G级，红笔连接另外两级进行检测，再对调一下红笔和黑笔进行检测，两次检测表针都是微微摆动后停留在∞处，即阻值都很大。

若是检测带阻尼二极管的IGBT管，以IGBT管FGA25N120ANTD为例：在集电集电极C与发射极E二者间并联着二极管，使用MF-47型万用表Rx1k挡，将黑笔连接E极，红笔连接C极，可测得管的正向阻值是6kΩ左右，对调下红笔和黑笔再做测量，测得阻值为无穷大。然后选择Rx10kΩ挡，红笔连接C极或E极，黑笔连接G极，测量后同样再对调黑笔和红笔做测量，测得的阻值均为无穷大。

 类似于测量容量很小的电容器，只有在一次测量后，管子电极发生短路放电，再测量时才发生的这种现象，即为充电现象。

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