即绝缘栅双极型晶体管，是由BjarneHolland和HenryLittle在1962年发明的。
  
  这种器件的电压放大倍数为10^6，电流放大倍数为10^9.
  
  它属于电压控制型半导体三极管的一种类型。
  
  场效应管是20世纪60年代发展起来的一种新型半导体器件，具有输入电阻高（107～1012Ω）、噪声小、功耗低等优点，现已成为双极型晶体管的主流产品之一。
  

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  大功率场效应管简介场效应管的英文简称叫FET,全称是fieldeffecttransistor或field-effecttransistor.
  
  它的主要特点是：输入电阻很高（1011～107Ω）；噪声系数很小（小于1nV/W）；很低的导通压降；很高的开关频率；很小的结电容；较高的工作温度范围等[1]。
  
  在电路中常用的是由P型和N型两种基本结构组成的四端有源器件——MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和大功率场效管GTR（GateTypeRectifier）。
  
  其中大功率场效管又分两种形式：一种是利用硅表面形成的PN结而把电能直接转化为光能或者电场的二极体发射结光电二极管（LEDs），另一种是通过pn结形成电场感应产生电子束的二极管（SITEs）。
  
  这两种二极管的性能指标要求是不一样的[2]：LED的发光效率比较低，一般在20%左右。由于LED的电致发光现象比较明显，因此其驱动电源必须要有较高的转换效率。一般说来，1W的LED需要的驱动电流为5～15A,2W的LED则需要30A左右的电流才能正常工作。
  
  另外由于发光的需要还要求有足够的恒流输出能力来保证足够的亮度[3].
  
  而SITE是一种新型的固态照明用光源[4]，它的发光效率高而且寿命长[5]，但价格比较高[6].大功率场效应管工作原理SitE的工作原理与普通二极管类似[7]，也是依靠PN结的光生伏特作用[8]将电能转变为光能[9]或通过外加电场改变自身电位的直流放大器[10]。
  
  但是当外施电压超过某一数值后[11]它就会截止[12]，此时就称为截止状态[13]；反之则称为导通[14].对于一般的应用场合而言[15]，通常都是采用使两端之间维持一个较低偏。
  
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