常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。

可控硅参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在必定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超越导能电压时，可以重复加在可控硅两头的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超越手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断情况时，可以重复加在可控硅两头的反向峰值电压。使用时，不能超越手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规矩的环境温度下，阳极---阴极间加有必定电压时，可控硅从关断情况转为导通情况所需求的较小控制极电流和电压。

5、 坚持电流IH 在规矩温度下，控制极断路，坚持可控硅导通所需要的较小阳极正向电流。许多新式可控硅元件相继问世，如适于高频使用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方导游通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。