晶闸管模块是一种硅元件。硅元件的一起特点是过载能力差，在使用过程中常常烧坏晶闸管模块。接下来，让我们看看晶闸管模块焚毁的真实原因：

晶闸管组件的烧损是由高温引起的，温度由晶闸管模块的电气特性、热特性和结构特性决议。因此，为了保证晶闸管组件在开发和出产过程中的质量，我们应该从三个方面着手：电特性、热特性和结构特性，三者紧密联系，密不可分，因此，晶闸管组件的研讨和出产正在进行中，应充分考虑电应力、热应力和结构应力。晶闸管模块烧坏的原因有许多。一般来说，是三者的一起效果导致晶闸管模块焚毁。由于单个特性的下降，很难使制品晶闸管焚毁。因此，我们可以在出产过程中充分利用这一特点，即假如其中一个应力不符合要求，我们可以采纳措施改进另外两个应力来补偿。

从晶闸管模块各相参数来看，事端频发的参数有：电压、电流、DV/DT、di/DT、漏电、分闸时间、合闸时间等，有时还或许烧坏操控极。晶闸管各模块表面的烧损现象是由不同的晶闸管表面参数引起的。因此，经过解剖被焚毁的晶闸管模块，我们可以确定是哪个参数导致晶闸管模块焚毁。

一般来说，阴极表面或芯片边际会有一个小黑点炙烤，阐明是电压引起的。电压导致晶闸管模块烧坏有两种或许的原因。一种是晶闸管模块的电压缺点，一般称为电压降。电压缺点分为前期缺点、中期缺点和晚期缺点。二是线路问题，构成线路过电压，晶闸管模块保护措施失效。

当电流烧坏晶闸管组件时，阴极表面一般会有一个大的烧痕，甚至会将芯片、外壳等金属大面积熔化。容易判别由di/DT引起的晶闸管模块烧坏，这一般是由栅极或扩大门邻近的一个小黑点引起的。我们知道晶闸管模块的等效电路由两个晶闸管组成。与栅极相对应的晶闸管用作触发器。其目的是扩大触发信号，然后赶快翻开主晶闸管。但是，假如电流在短时间内过大，则主晶闸管没有完全翻开。大电流主要流经相当于栅极的晶闸管，这可以避免晶闸管的载流能力很小，导致晶闸管焚毁。在表面上，它是靠近门或扩大门的一个小黑点。对于DV/DT，它不会烧坏晶闸管模块，但高DV/DT会使晶闸管模块误投，其表面现象与电流烧坏现象类似。