- [常见问题]汽车晶振的好坏要如何判断？2022年06月23日 09:56
- 一些工厂生产的二等品被转卖;晶振参数要求不高，长期库存，称重卖，还有次品。原材料有缺陷，被回收利用，比如用晶片的边角料制成的晶体振荡器(使用有缺陷的晶片或晶片的棱角)。
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- [常见问题]哪些汽车晶振用到黑匣子EDR呢？2022年06月22日 09:44
- 汽车黑匣子的主要作用在于记载车辆碰撞前、碰撞时、碰撞后三个阶段中的运转关键数据，好比方说车辆时速、碰撞加速度、方向盘的转向角度以及发起机状态、辅助驾驶系统、驾驶人在事情发作时的反响等。
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- [常见问题]led二极管的工作原理2022年05月30日 09:23
- 二极管是电子元件中具有两个电极的装置，它的最大特性就是电流只可以从二极管的其中一个方向流过。二极管由整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路所来构成。
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- [常见问题]TVS二极管选型需要注意的事项2022年05月29日 11:03
- TVS二极管选型需要注意的事项:要明确确认被保护电路的最大直流值、额定标准电压值和“高端”容限值;TVS管的最大箝位电压要小于被保护电路的损坏电压;TVS管的额定反向关断电压要大于等于被保护电路的最大工作电压.
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- [常见问题]使用贴片三极管需要注意什么2022年05月28日 15:45
- 注意三极管内部的结电容的影响，由于半导体制造工艺的原因，贴片三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，它们会使得贴片三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是，它还会因此引起额外的相位差。
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- [常见问题]启动电容器为什么会烧坏呢？2022年05月26日 10:20
- 功率稍大些的那些单相电机，一般情况下都会配备二个电容器的，即启动电器和运转电容器。但是在80多年之前的单相电机多配备了一个电容器就是启动电容器。电机启动后由离心开关把电容器甩二开，此时只有主绕组工作，次绕组是闲着不工作的。
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- [常见问题]场效应管如何选型2022年05月25日 10:08
- 场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
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- [常见问题]二极管之间有哪些不同2022年05月24日 09:51
- 二极管有很多种不同分类，每种的功能不同，彼此间也有差别，根据其不同的特性来选取合适的产品是很重要的一点。
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- [常见问题]场效应管工作原理是什么？2021年07月23日 17:49
- 场效应结晶体管(FieldEffect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体机件。存正在输出电阻高(10^8~10^9Ω)、噪音小、功耗低、静态范畴大、易于集成、没有二次击穿景象、保险任务海域宽等长处，现已变化双极型结晶体管和功率结晶体管的壮大合作者。 场效应管特性 一：场效应管是电压掌握机件，它经过VGS(栅源电压)来掌握ID(漏极直流电); 二：场效应管的输出端直流电极小，因而它的输出电阻很
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- [常见问题]IC封装需要考虑的关键因素有哪些？2021年03月24日 16:05
- 为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。 封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。 我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。 1.更小的封装尺寸 现在，我们希望IC封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低PCB的组装
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- [常见问题]IC封装需要考虑的关键因素有哪些？2021年02月04日 15:20
- 为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。 封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。 我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。 1.更小的封装尺寸 现在，我们希望IC封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低PCB的组装
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- [常见问题]常见的场效应管有哪些？2021年02月04日 15:10
- MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载
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